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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
80
左右 75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
80
读取速度,GB/s
17.0
16.0
写入速度,GB/s
11.5
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
1882
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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