RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
35
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
35
读取速度,GB/s
17.0
15.2
写入速度,GB/s
11.5
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3150
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link