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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

总分
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

总分
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 36
    左右 44% 更低的延时
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 17
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    20 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    17.0 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3077 left arrow 3449

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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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内存RAM
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AMD R748G2606U2S 8GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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