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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
22
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
22
读取速度,GB/s
17.0
17.6
写入速度,GB/s
11.5
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3024
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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