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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
31
读取速度,GB/s
17.0
11.8
写入速度,GB/s
11.5
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2605
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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