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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
17.0
17.6
写入速度,GB/s
11.5
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3564
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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