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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
70
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
70
读取速度,GB/s
17.0
15.7
写入速度,GB/s
11.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
1934
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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