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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
17.0
18.2
写入速度,GB/s
11.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3463
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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