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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
31
读取速度,GB/s
17.0
16.5
写入速度,GB/s
11.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2967
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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