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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
29
读取速度,GB/s
17.0
16.2
写入速度,GB/s
11.5
12.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2950
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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