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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
34
读取速度,GB/s
17.0
14.3
写入速度,GB/s
11.5
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2201
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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