RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

总分
star star star star star
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

总分
star star star star star
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 27
    左右 26% 更低的延时
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB 需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.6 left arrow 17
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.0 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    20 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    17.0 left arrow 19.6
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 16.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3077 left arrow 3909

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较

Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
内存RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
内存RAM