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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
32
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
32
读取速度,GB/s
17.0
11.8
写入速度,GB/s
11.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2844
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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