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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

总分
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 31
    左右 35% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.9 left arrow 17
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.7 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    20 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    17.0 left arrow 17.9
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 14.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3077 left arrow 3444

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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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