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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
35
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
19
35
读取速度,GB/s
18.1
16.9
写入速度,GB/s
11.9
10.9
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
2879
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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