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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
33
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
33
读取速度,GB/s
18.1
16.5
写入速度,GB/s
11.9
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
3367
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB RAM的比较
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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