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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
34
左右 44% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
34
读取速度,GB/s
18.1
18.9
写入速度,GB/s
11.9
13.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
3184
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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