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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
15.3
写入速度,GB/s
15.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3041
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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