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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.3
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
24
读取速度,GB/s
22.8
19.5
写入速度,GB/s
15.4
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3718
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
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