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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
21.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
17.1
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
26
读取速度,GB/s
22.8
21.1
写入速度,GB/s
15.4
17.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3931
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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