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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
25
读取速度,GB/s
22.8
17.4
写入速度,GB/s
15.4
16.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3908
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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