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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
17.4
写入速度,GB/s
15.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3183
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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