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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
23
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
23
读取速度,GB/s
22.8
16.9
写入速度,GB/s
15.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3236
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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