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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
17.0
写入速度,GB/s
15.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3142
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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