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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
19.2
写入速度,GB/s
15.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3584
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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