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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
18.0
写入速度,GB/s
15.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3711
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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