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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
18.6
写入速度,GB/s
15.4
14.4
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3491
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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