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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
17.8
写入速度,GB/s
15.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3563
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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