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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
14.3
写入速度,GB/s
15.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2699
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
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