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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
29
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
29
读取速度,GB/s
22.8
16.9
写入速度,GB/s
15.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2725
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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