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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
14.9
写入速度,GB/s
15.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3271
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
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