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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
16.3
写入速度,GB/s
15.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2945
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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