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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
15.7
写入速度,GB/s
15.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2817
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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