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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
36
读取速度,GB/s
22.8
19.4
写入速度,GB/s
15.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3526
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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