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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
24
读取速度,GB/s
22.8
12.0
写入速度,GB/s
15.4
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1433
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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