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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
81
左右 79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
81
读取速度,GB/s
22.8
15.2
写入速度,GB/s
15.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1668
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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