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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
16.4
写入速度,GB/s
15.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3036
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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