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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
39
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
39
读取速度,GB/s
22.8
13.2
写入速度,GB/s
15.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2489
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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