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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
24
读取速度,GB/s
22.8
15.9
写入速度,GB/s
15.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2508
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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