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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
17.0
写入速度,GB/s
15.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3211
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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