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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
25
读取速度,GB/s
22.8
19.6
写入速度,GB/s
15.4
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3774
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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