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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.8
21.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
17.7
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
17
读取速度,GB/s
22.8
21.6
写入速度,GB/s
15.4
17.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3702
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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