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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
42
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
42
读取速度,GB/s
22.8
12.9
写入速度,GB/s
15.4
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3126
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
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