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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
66
左右 74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
66
读取速度,GB/s
22.8
15.9
写入速度,GB/s
15.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1877
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
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