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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
25
读取速度,GB/s
22.8
14.5
写入速度,GB/s
15.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3377
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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