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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
23
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
23
读取速度,GB/s
22.8
15.5
写入速度,GB/s
15.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2660
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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