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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
40
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
40
读取速度,GB/s
22.8
13.0
写入速度,GB/s
15.4
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2522
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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