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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston 9905702-019.A00G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
87
左右 80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
87
读取速度,GB/s
22.8
12.6
写入速度,GB/s
15.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1849
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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