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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
36
读取速度,GB/s
22.8
19.6
写入速度,GB/s
15.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3266
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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