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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre 0000 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
49
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
49
读取速度,GB/s
22.8
10.9
写入速度,GB/s
15.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2220
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kllisre 0000 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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